Від типу речовини. У кожної речовини своя щільність кристалічних ґраток. величина взаємодії між частинками ґраток, степінь домішок. Характеристикою типу речовини вступає питомий опір матеріалу, з якого зроблений провідник.
Від площі перерізу S. Електронам провідності легше « протиснутися» між вузлами кристалічних ґраток при широкому перерізі провідника. Чим більша площа перерізу, тим більше можливостей найти «шпаринку» у міжвузольному Від довжини провідника l. На довгому шляху в довгому провідникові електрон повинен долати більше перешкод. Опір короткого провідника при інших однакових параметрах буде меншим.
Від температури. При збільшенні температури зростає тепловий рух частинок кристалічних ґраток і відповідно зростає опір провідника.
Согласно первому положению мкт, все тела состоят из мельчайших частиц. 1. В твердых телах: расстояние между частицами сравнимо с размером частиц, мало изменение формы и объема, при кристаллическом строении возможно явление сыпучести. Кинетическая энергия меньше потенциальной. 2. В жидких телах соблюдается ближний порядок, но сила взаимного притяжения между молекулами меньше, чем в твердых телах, что обуславливает явление текучести. Кинетическая энергия примерно равна потенциальной. 3. В газах расстояние между частицами много больше самих частиц, кинетическая энергия много больше потенциальной. Диффузия является доказательством второго положения мкт, согласно которому все частицы непрерывно и хаотично движутся.
Від типу речовини.
Від площі перерізу S
Від довжини провідника l
Від температури
Объяснение:
Від типу речовини. У кожної речовини своя щільність кристалічних ґраток. величина взаємодії між частинками ґраток, степінь домішок. Характеристикою типу речовини вступає питомий опір матеріалу, з якого зроблений провідник.
Від площі перерізу S. Електронам провідності легше « протиснутися» між вузлами кристалічних ґраток при широкому перерізі провідника. Чим більша площа перерізу, тим більше можливостей найти «шпаринку» у міжвузольному Від довжини провідника l. На довгому шляху в довгому провідникові електрон повинен долати більше перешкод. Опір короткого провідника при інших однакових параметрах буде меншим.
Від температури. При збільшенні температури зростає тепловий рух частинок кристалічних ґраток і відповідно зростає опір провідника.
1. В твердых телах: расстояние между частицами сравнимо с размером частиц, мало изменение формы и объема, при кристаллическом строении возможно явление сыпучести. Кинетическая энергия меньше потенциальной.
2. В жидких телах соблюдается ближний порядок, но сила взаимного притяжения между молекулами меньше, чем в твердых телах, что обуславливает явление текучести. Кинетическая энергия примерно равна потенциальной.
3. В газах расстояние между частицами много больше самих частиц, кинетическая энергия много больше потенциальной.
Диффузия является доказательством второго положения мкт, согласно которому все частицы непрерывно и хаотично движутся.