Школьный учитель: Добрый день, ученик! Спасибо за ваш вопрос. Чтобы решить эту задачу, нам нужно использовать формулу для нахождения энергии фотоэлектронов (е), а также формулу для нахождения скорости фотоэлектронов (v). Давайте начнем с пошагового решения.
Шаг 1: Известные величины.
Масса фотоэлектрона (m) = 9,11 * 10^-31 кг
Заряд электрона (е) = 1,6 * 10^-19 Кл
Напряжение источника (V) = 0,8 В
Шаг 2: Найдем энергию фотоэлектрона.
Энергия фотоэлектрона (E) вычисляется с помощью формулы E = eV, где e - заряд электрона и V - напряжение источника.
E = (1,6 * 10^-19 Кл) * (0,8 В)
E = 1,28 * 10^-19 Дж
Шаг 3: Найдем скорость фотоэлектрона.
Согласно формуле кинетической энергии, K = (1/2)mv^2, где m - масса фотоэлектрона и v - его скорость. Также известно, что кинетическая энергия связана с энергией фотоэлектрона соотношением K = E.
Используя эти формулы, мы можем записать:
(1/2) * (9,11 * 10^-31 кг) * v^2 = 1,28 * 10^-19 Дж
Шаг 4: Решение уравнения.
Чтобы найти скорость фотоэлектрона (v), мы должны избавиться от деления на (1/2) и умножить обе стороны уравнения на (2):
(2) * (1/2) * (9,11 * 10^-31 кг) * v^2 = (2) * (1,28 * 10^-19 Дж)
(9,11 * 10^-31 кг) * v^2 = 2,56 * 10^-19 Дж
Шаг 5: Найдем скорость фотоэлектрона.
Теперь мы можем найти скорость фотоэлектрона (v) путем извлечения квадратного корня на обеих сторонах уравнения:
v^2 = (2,56 * 10^-19 Дж) / (9,11 * 10^-31 кг)
v^2 ≈ 2,81 * 10^11 м^2/с^2
v ≈ √(2,81 * 10^11 м^2/с^2)
v ≈ 5,30 * 10^5 м/с
Шаг 6: Ответ.
Таким образом, скорость фотоэлектрона составляет приблизительно 5,30 * 10^5 м/с.
Я надеюсь, что это пошаговое решение будет полезно для вас в понимании данной задачи. Если у вас возникнут еще вопросы, пожалуйста, не стесняйтесь задавать их. Желаю успехов в обучении!
В полупроводниках при увеличении температуры сопротивление обычно увеличивается (вариант b).
Объяснение:
Полупроводники - это материалы, которые могут проводить электрический ток, но не так хорошо, как металлы. Они обладают более высоким сопротивлением по сравнению с металлами.
Сопротивление полупроводников зависит от двух основных факторов: концентрации свободных электронов в материале и их подвижности. При увеличении температуры оба этих фактора изменяются, что приводит к изменению сопротивления.
Увеличение температуры приводит к увеличению возбуждения электронов в полупроводнике, что вызывает увеличение количества свободных электронов. Поэтому концентрация свободных электронов увеличивается.
Однако, в то же время, при увеличении температуры свободные электроны сталкиваются с атомами, внутренними дефектами и фононами (колебаниями кристаллической решетки). Эти столкновения приводят к увеличению сопротивления, так как усложняют движение электронов внутри материала.
В результате, увеличение концентрации свободных электронов и увеличение сопротивления полупроводника при увеличении температуры конкурируют друг с другом. Однако, более существенным эффектом является увеличение сопротивления, поэтому при увеличении температуры сопротивление полупроводника увеличивается.
Шаг 1: Известные величины.
Масса фотоэлектрона (m) = 9,11 * 10^-31 кг
Заряд электрона (е) = 1,6 * 10^-19 Кл
Напряжение источника (V) = 0,8 В
Шаг 2: Найдем энергию фотоэлектрона.
Энергия фотоэлектрона (E) вычисляется с помощью формулы E = eV, где e - заряд электрона и V - напряжение источника.
E = (1,6 * 10^-19 Кл) * (0,8 В)
E = 1,28 * 10^-19 Дж
Шаг 3: Найдем скорость фотоэлектрона.
Согласно формуле кинетической энергии, K = (1/2)mv^2, где m - масса фотоэлектрона и v - его скорость. Также известно, что кинетическая энергия связана с энергией фотоэлектрона соотношением K = E.
Используя эти формулы, мы можем записать:
(1/2) * (9,11 * 10^-31 кг) * v^2 = 1,28 * 10^-19 Дж
Шаг 4: Решение уравнения.
Чтобы найти скорость фотоэлектрона (v), мы должны избавиться от деления на (1/2) и умножить обе стороны уравнения на (2):
(2) * (1/2) * (9,11 * 10^-31 кг) * v^2 = (2) * (1,28 * 10^-19 Дж)
(9,11 * 10^-31 кг) * v^2 = 2,56 * 10^-19 Дж
Шаг 5: Найдем скорость фотоэлектрона.
Теперь мы можем найти скорость фотоэлектрона (v) путем извлечения квадратного корня на обеих сторонах уравнения:
v^2 = (2,56 * 10^-19 Дж) / (9,11 * 10^-31 кг)
v^2 ≈ 2,81 * 10^11 м^2/с^2
v ≈ √(2,81 * 10^11 м^2/с^2)
v ≈ 5,30 * 10^5 м/с
Шаг 6: Ответ.
Таким образом, скорость фотоэлектрона составляет приблизительно 5,30 * 10^5 м/с.
Я надеюсь, что это пошаговое решение будет полезно для вас в понимании данной задачи. Если у вас возникнут еще вопросы, пожалуйста, не стесняйтесь задавать их. Желаю успехов в обучении!
Объяснение:
Полупроводники - это материалы, которые могут проводить электрический ток, но не так хорошо, как металлы. Они обладают более высоким сопротивлением по сравнению с металлами.
Сопротивление полупроводников зависит от двух основных факторов: концентрации свободных электронов в материале и их подвижности. При увеличении температуры оба этих фактора изменяются, что приводит к изменению сопротивления.
Увеличение температуры приводит к увеличению возбуждения электронов в полупроводнике, что вызывает увеличение количества свободных электронов. Поэтому концентрация свободных электронов увеличивается.
Однако, в то же время, при увеличении температуры свободные электроны сталкиваются с атомами, внутренними дефектами и фононами (колебаниями кристаллической решетки). Эти столкновения приводят к увеличению сопротивления, так как усложняют движение электронов внутри материала.
В результате, увеличение концентрации свободных электронов и увеличение сопротивления полупроводника при увеличении температуры конкурируют друг с другом. Однако, более существенным эффектом является увеличение сопротивления, поэтому при увеличении температуры сопротивление полупроводника увеличивается.
Надеюсь, это разъяснило вопрос для вас.