За промежуток времени =10 точка половину окружности радиуса R = 150 см. Вычислить за это время модуль вектора полного ускорения ||, если точка двигалась со скоростью =3 м/с.
Если груз "b" будет в в два раза больше чем груз "a"
и груз "b" и если он будет расположен на расстоянии (пусть это расстояние будет 1) то груз "a" ,что бы уровнять весы, должен быть на расстоянии в двое большем чем груз "b".
Формула:
"a" это груз а"".
"b" это груз b"".
"c" это во сколько раз груз "a" меньше груза "b".
"d" это расстояние во сколько раз груз "a" быть должен расположен дальше чем груз "b".
c=b/a
a*c=d
Не уверен, это все только то, что смогла надумать моя головушка...
Удельное сопротивление проводника — скалярная физическая величина, численно равная сопротивлению однородного цилиндрического проводника, изготовленного из данного вещества и имеющего длину 1 м и площадь поперечного сечения 1 м2, или сопротивлению куба с ребром 1 м. Единицей удельного сопротивления в СИ является ом-метр (Ом·м).
Удельное сопротивление металлического проводника зависит от
концентрации свободных электронов в проводнике; интенсивности рассеивания свободных электронов на ионах кристаллической решетки, совершающих тепловые колебания; интенсивности рассеивания свободных электронов на дефектах и
Объяснение:
У нас есть два груза "a" и"b".
Пусть груз "a" будет равняться единице.
Если груз "b" будет в в два раза больше чем груз "a"
и груз "b" и если он будет расположен на расстоянии (пусть это расстояние будет 1) то груз "a" ,что бы уровнять весы, должен быть на расстоянии в двое большем чем груз "b".
Формула:
"a" это груз а"".
"b" это груз b"".
"c" это во сколько раз груз "a" меньше груза "b".
"d" это расстояние во сколько раз груз "a" быть должен расположен дальше чем груз "b".
c=b/a
a*c=d
Не уверен, это все только то, что смогла надумать моя головушка...
Но вроде все верно.
Удельное сопротивление металлического проводника зависит от
концентрации свободных электронов в проводнике;
интенсивности рассеивания свободных электронов на ионах кристаллической решетки, совершающих тепловые колебания;
интенсивности рассеивания свободных электронов на дефектах и