Высота боковой грани МАВ - прямая МА, которая из тр-ка МАД равна: МА=√(МД²+АД²)=√(15²+10²)=√325=5√13 дм. Высота боковой грани МВС - прямая МС, которая из тр-ка МСД равна: МС=√(МД²+СД)=√(15²+20²=25 дм. Площадь ΔМАВ: S1=AB·MA/2=20·5√13/2=50√13 дм². Площадь ΔМВС: S2=ВС·МС/2=10·25/2=125 дм². Площадь двух граней, прилежащих к высоте МД: S3=(АД+СД)·МД/2=(10+20)·15/2=225 дм². Площадь основания: S4=АВ·АД=20·10=200 дм². Общая площадь - это сумма всех найденных площадей: S=50√13+125+225+200=50(1+11√13) дм³ - это ответ.
Если хорошенько разобраться, решается все очень просто)
В основании пирамиды лежит равносторонний тр-к. его высоты, медианы и биссектрисы равны и точкой пересечения делятся в отношении 1/2. т. к бОльшая часть будет являться радиусом описанной окружности а меньшая часть - радиус вписанной окружности. обозначим основание тр-к АВС. точка пересечения высот О. вершина пирамиды - Н, высота АА1. ОН по условию =АА1 =9 ОА1= 1/3 АА1= 9/3=3
рассмотрим тр-к НОА1 НА1(апофема) = корень из (9*9+3*3)= корень из 90
МА=√(МД²+АД²)=√(15²+10²)=√325=5√13 дм.
Высота боковой грани МВС - прямая МС, которая из тр-ка МСД равна:
МС=√(МД²+СД)=√(15²+20²=25 дм.
Площадь ΔМАВ: S1=AB·MA/2=20·5√13/2=50√13 дм².
Площадь ΔМВС: S2=ВС·МС/2=10·25/2=125 дм².
Площадь двух граней, прилежащих к высоте МД:
S3=(АД+СД)·МД/2=(10+20)·15/2=225 дм².
Площадь основания: S4=АВ·АД=20·10=200 дм².
Общая площадь - это сумма всех найденных площадей:
S=50√13+125+225+200=50(1+11√13) дм³ - это ответ.
В основании пирамиды лежит равносторонний тр-к. его высоты, медианы и биссектрисы равны и точкой пересечения делятся в отношении 1/2. т. к бОльшая часть будет являться радиусом описанной окружности а меньшая часть - радиус вписанной окружности.
обозначим основание тр-к АВС. точка пересечения высот О. вершина пирамиды - Н, высота АА1.
ОН по условию =АА1 =9
ОА1= 1/3 АА1= 9/3=3
рассмотрим тр-к НОА1
НА1(апофема) = корень из (9*9+3*3)= корень из 90