В плечи мостовой схемы включены два равных по величине активных сопротивления г, емкостное сопротивление хс и активное сопротивление гх, которое можно изменять в широких пределах. Это свойство схемы можно доказать аналитически и при круговой диаграммы.
Когда плечи мостовой схемы содержат только линейные элементы, условия равновесия не зависят от величины напряжения, приложенного к мостовой схеме; однако следует учитывать, что во многих практических случаях параметры измеряемых объектов зависят от режима, в котором они находятся, вследствие чего изменение напряжения, подведенного к мостовым схемам, приводит к изменению условий равновесия, с чем и следует считаться.
Газовий розряд — явище протікання електричного струму в газах. Газ складається із нейтральних атомів і молекул, тому для забезпечення електропровідності необхідне виникнення носіїв заряду - іонізація. Джерелом іонізації може бути зовнішнє опромінення високоенергетичними фотонами - ультрафіолетовими, рентгенівськими чи гамма-променями. Іонізація може виникнути також у сильному електричному полі, або ж за рахунок зіткнень із прискореними носіями заряду (ударна іонізація). Додатковим джерелом носіїв заряду може бути поверхнева іонізація, наприклад термоелектронна емісія з катоду.
В плечи мостовой схемы включены два равных по величине активных сопротивления г, емкостное сопротивление хс и активное сопротивление гх, которое можно изменять в широких пределах. Это свойство схемы можно доказать аналитически и при круговой диаграммы.
Когда плечи мостовой схемы содержат только линейные элементы, условия равновесия не зависят от величины напряжения, приложенного к мостовой схеме; однако следует учитывать, что во многих практических случаях параметры измеряемых объектов зависят от режима, в котором они находятся, вследствие чего изменение напряжения, подведенного к мостовым схемам, приводит к изменению условий равновесия, с чем и следует считаться.
Газовий розряд — явище протікання електричного струму в газах. Газ складається із нейтральних атомів і молекул, тому для забезпечення електропровідності необхідне виникнення носіїв заряду - іонізація. Джерелом іонізації може бути зовнішнє опромінення високоенергетичними фотонами - ультрафіолетовими, рентгенівськими чи гамма-променями. Іонізація може виникнути також у сильному електричному полі, або ж за рахунок зіткнень із прискореними носіями заряду (ударна іонізація). Додатковим джерелом носіїв заряду може бути поверхнева іонізація, наприклад термоелектронна емісія з катоду.